Научный руководитель

Утамурадова Шарифа Бекмурадовна

Utamuradova Sharifa Bekmuradovna

24 зарегистрированные темы · 21 соискатель

23 отдельные работы · из них 1 повторная регистрация

На этой странице показаны зарегистрированные темы, а не обучающиеся: 24 регистрации, 21 соискатель.

24 регистраций относятся к 23 отдельным работам; повторных регистраций среди них: 1. В списке каждая работа показана один раз. 23 работ ведут 21 соискателей; соискателей с несколькими темами: 2.

Научный руководитель указан так, как он был напечатан в бюллетене на момент регистрации темы. Более поздние изменения в этом реестре не отражаются.

Зарегистрированная тема не означает, что диссертация защищена или степень присуждена. Источник: Бюллетень ВАК 2016/1–2026/1, 40 PDF, сборка от 2026-08-12. Это не официальный реестр ВАК.

Направления исследований

Специальности

  • Физика полупроводников 24

Учреждения

  • ЎзМУ ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти 20
  • Фарғона давлат техника университети 2
  • Ўзбекистон Миллий университети 1
  • Фарғона давлат университети 1

Годы регистрации

с 2018 по 2026 год

Зарегистрированные темы

  1. Кумуш билан легирланган кремнийда ҳажмий нуқсонлар хосил бўлиш жараёнлари

    Соискатель: Абдураимов Самар Мирзасултон ўғли·с 2023 года·ЎзМУ ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти

    Учреждение в бюллетене: «Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти»

    Специальность: Физика полупроводников

    Перерегистрирована: B2023.4.PhD/FM982

    Источник: 2026/1, с. 651 · B2026.1.PhD/FM982 · Сообщить об ошибке

  2. CdTe-SnO2 асосли ёруғликка сезгир тизимдаги фотоэлектрик ҳодисалар

    Соискатель: Хайдаров Бунёдбек Зокиржон ўғли·с 2025 года·Фарғона давлат техника университети

    Специальность: Физика полупроводников

    Источник: 2025/4, с. 243 · B2025.4.PhD/FM1430 · Сообщить об ошибке

  3. CdTe-SnO2 асосли ёруғликка сезгир тизимдаги фотоэлектрик ҳодисалар

    Соискатель: Хайдаров Бунёдбек Зокиржон ўғли·с 2025 года·Фарғона давлат техника университети

    Специальность: Физика полупроводников

    Источник: 2025/3, с. 264 · B2025.3.PhD/T5814 · Сообщить об ошибке

  4. Диспрозий билан легирланган кремнийдаги ҳажмий нуқсонлар структураси ва сиртий қатлам морфологияси

    Соискатель: Норқулов Шаҳриёр Бекмирзаевич·с 2018 года·ЎзМУ ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти

    Специальность: Физика полупроводников

    Источник: 2025/1, с. 604 · B2025.1.PhD/FM298 · Сообщить об ошибке

  5. Голмий ва марганец билан легирланган кремнийда чукур марказлар ҳосил бўлиш жараёнларини моделлаштириш

    Соискатель: Йўлдошов Файзулла Рахматулла ўғли·с 2025 года·ЎзМУ ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти

    Специальность: Физика полупроводников

    Источник: 2025/1, с. 246 · B2025.1.PhD/FM1259 · Сообщить об ошибке

  6. Платина гуруҳи киришмалари киритилган кремний ва кремнийли структураларда радиацион нуқсонларнинг ҳосил бўлиш жараёнлари

    Соискатель: Рахманов Дилмурод Абдужаббор ўғли·с 2025 года·ЎзМУ ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти

    Специальность: Физика полупроводников

    Источник: 2025/1, с. 175 · B2025.1.DSc/FM293 · Сообщить об ошибке

  7. Киришмали кремний гибрид структураларда электрон жараёнлар

    Соискатель: Мавлянов Абдулазиз Шавкатович·с 2025 года·ЎзМУ ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти

    Специальность: Физика полупроводников

    Источник: 2025/1, с. 174 · B2025.1.DSc/FM292 · Сообщить об ошибке

  8. Кремний асосидаги гетероструктураларда ҳарорат ва радиация таъсирида кечадиган жараёнларнинг физик асослари

    Соискатель: Атабоев Омонбой Курбанбоевич·с 2023 года·ЎзМУ ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти

    Специальность: Физика полупроводников

    Источник: 2023/4, с. 106 · B2023.4.DSc/FM248 · Сообщить об ошибке

  9. Икки ва уч ўлчамли пьезояримўтказгичларда фотонли кинетик эффектлар

    Соискатель: Расулов Вохоб Рустамович·с 2019 года·Фарғона давлат университети

    Специальность: Физика полупроводников

    Источник: 2023/3, с. 87 · B2023.3.DSc/FM150 · Сообщить об ошибке

  10. p-Si – i-α-Si – α-SiC типидаги самарали гетероўтишли фотоўзгартиргичларни тайёрлаш технологияси

    Соискатель: Олимов Шоирбек Абдукоххорович·с 2022 года·ЎзМУ ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти

    Учреждение в бюллетене: «Ўзбекистон Миллий университети ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти»

    Специальность: Физика полупроводников

    Источник: 2022/4, с. 134 · B2022.4.PhD/FM820 · Сообщить об ошибке

  11. Изовалент элементлар киришмалари билан легирланган кремнийда нуқсонлар хосил бўлиш жараёнлари

    Соискатель: Бокиев Баходир Рахималиевич·с 2022 года·ЎзМУ ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти

    Специальность: Физика полупроводников

    Источник: 2022/1, с. 114 · B2022.1.PhD/FM692 · Сообщить об ошибке

  12. Si ва GaAs фотоэлектродли газ разряди ячейкасидаги фотоэлектрик жараёнлар

    Соискатель: Хайдаров Зокиржон·с 2020 года·ЎзМУ ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти

    Учреждение в бюллетене: «ЎзМУ ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника ИТИ»

    Специальность: Физика полупроводников

    Источник: 2021/3, с. 106 · B2021.3.DSc/FM156 · Сообщить об ошибке

  13. Лантан киришмали кремнийдаги чуқур марказларнинг парчаланишига ташқи омилларнинг таъсири

    Соискатель: Усманова Шоира Пулатовна·с 2021 года·ЎзМУ ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти

    Учреждение в бюллетене: «Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника ИТИ»

    Специальность: Физика полупроводников

    Источник: 2021/1, с. 73 · B2021.1.PhD/FM596 · Сообщить об ошибке

  14. Ўтувчи элементлар билан легирланган кремнийда нуқсонлар ҳосил бўлиш жараёнларига ҳажмдаги нотекисликлар таъсири

    Соискатель: Матчонов Ҳусниддин Жамоладдинович·с 2021 года·ЎзМУ ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти

    Учреждение в бюллетене: «Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника ИТИ»

    Специальность: Физика полупроводников

    Источник: 2021/1, с. 71 · B2021.1.PhD/FM581 · Сообщить об ошибке

  15. Поликристалл юпқа қатламли теллурид кадмий асосидаги ёруғлик сезувчи қурилмаларнинг электрофизик ва оптик хоссалари

    Соискатель: Музафарова Султанпаша Анваровна·с 2021 года·ЎзМУ ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти

    Учреждение в бюллетене: «Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника ИТИ»

    Специальность: Физика полупроводников

    Источник: 2021/1, с. 40 · B2021.1.DSc/FM175 · Сообщить об ошибке

  16. Ўтувчи элементлар билан легирланган кремнийли структураларнинг электрофизик хоссаларига турли хил радиациянинг таъсири

    Соискатель: Рахманов Дилмурод Абдужаббор ўғли·с 2020 года·ЎзМУ ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти

    Учреждение в бюллетене: «ЎзМУ ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника ИТИ»

    Специальность: Физика полупроводников

    Источник: 2020/2, с. 87 · B2020.2.PhD/FM485 · Сообщить об ошибке

  17. Т-ионлар билан легирланган кремнийда чуқур марказларнинг деградация жараёнларини тадқиқ қилиш

    Соискатель: Наурзалиева Элмира Махамбетяровна·с 2020 года·ЎзМУ ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти

    Учреждение в бюллетене: «ЎзМУ ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника ИТИ»

    Специальность: Физика полупроводников

    Источник: 2020/2, с. 87 · B2020.2.PhD/FM483 · Сообщить об ошибке

  18. Ўтувчи элементлар билан легирланган кремнийда радиацион нуқсонлар ҳосил бўлишининг физикавий асослари

    Соискатель: Утениязова Айсара Бегмуратовна·с 2020 года·ЎзМУ ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти

    Учреждение в бюллетене: «ЎзМУ ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника ИТИ»

    Специальность: Физика полупроводников

    Источник: 2020/2, с. 40 · B2020.2.DSc/FM155 · Сообщить об ошибке

  19. Изовалент киришмалар билан легирланган кремнийдаги ўзаро таъсирлашув жараёнлари

    Соискатель: Эргашев Равшанбек Мирзаевич·с 2019 года·ЎзМУ ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти

    Учреждение в бюллетене: «ЎзМУ ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника ИТИ»

    Специальность: Физика полупроводников

    Источник: 2019/3, с. 50 · B2019.3.PhD/FM421 · Сообщить об ошибке

  20. Платина, кобальт ва хром билан легирланган кремнийда нуқсонлар ҳосил бўлиш жараёнларининг хусусиятлари

    Соискатель: Олимбеков Зафарбек Олимбек ўғли·с 2019 года·ЎзМУ ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти

    Учреждение в бюллетене: «ЎзМУ ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника ИТИ»

    Специальность: Физика полупроводников

    Источник: 2019/3, с. 50 · B2019.3.PhD/FM418 · Сообщить об ошибке

  21. 3d-элементлар билан легирланган кремнийда киришмаларнинг ўзаро таъсирлашув жараёнлари

    Соискатель: Файзуллаев Қаҳрамон Махмуджонович·с 2019 года·ЎзМУ ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти

    Специальность: Физика полупроводников

    Источник: 2019/2, с. 70 · B2019.2.PhD/FM382 · Сообщить об ошибке

  22. Ўтиш элементлари билан легирланган кремнийдаги чуқур марказлар деградация-сига ташқи омилларнинг таъсири

    Соискатель: Набиев Муроджон Якубджанович·с 2019 года·ЎзМУ ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти

    Специальность: Физика полупроводников

    Источник: 2019/2, с. 70 · B2019.2.PhD/FM379 · Сообщить об ошибке

  23. Баъзи бир 3d-элементларнинг кремнийда қиринди-нуқсонли комплексларини шаклланишининг ўзига хос хусусиятлари

    Соискатель: Равшанов Йўлдошали Рузимуродович·с 2018 года·Ўзбекистон Миллий университети

    Специальность: Физика полупроводников

    Источник: 2018/4, с. 51 · B2018.4.PhD/FM299 · Сообщить об ошибке