Научный руководитель

Онарқулов Каримберди Эгамбердиевич

Onarqulov Karimberdi Egamberdievich

10 зарегистрированных тем · 7 соискателей

8 отдельных работ · из них 2 повторные регистрации

На этой странице показаны зарегистрированные темы, а не обучающиеся: 10 регистраций, 7 соискателей.

10 регистраций относятся к 8 отдельным работам; повторных регистраций среди них: 2. В списке каждая работа показана один раз. 8 работ ведут 7 соискателей; соискателей с несколькими темами: 1.

Научный руководитель указан так, как он был напечатан в бюллетене на момент регистрации темы. Более поздние изменения в этом реестре не отражаются.

Зарегистрированная тема не означает, что диссертация защищена или степень присуждена. Источник: Бюллетень ВАК 2016/1–2026/1, 40 PDF, сборка от 2026-08-12. Это не официальный реестр ВАК.

Направления исследований

Специальности

  • Физика полупроводников 5
  • Физика конденсированного состояния 2
  • Биофизика и радиобиология 2
  • Энергоустановки на основе возобновляемых видов энергии 1

Учреждения

  • Фарғона давлат университети 8
  • Фарғона жамоат саломатлиги тиббиёт институти 2

Годы регистрации

с 2017 по 2026 год

В бюллетенях это имя написано 3 способами
  • Онаркулов Каримберди Эгамбердиевич — 2022/1
  • Онаркулов Каримберди Эгамбердиэвич — 2023/1

Моё имя написано неверно

Зарегистрированные темы

  1. Болалар онкогематологик касалликларининг барвақт диагностикасида ноинвазив инфрақизил спектроскопия усулини қўллаш

    Соискатель: Тошпулатов Шерали Мухамадалиевич·с 2026 года·Фарғона жамоат саломатлиги тиббиёт институти

    Специальность: Биофизика и радиобиология

    Источник: 2026/1, с. 307 · B2026.1.PhD/T6391 · Сообщить об ошибке

  2. Болалар онкогематологик касалликларининг барвақт диагностикасида ноинвазив инфрақизил спектроскопия усулини қўллаш

    Соискатель: Тошпулатов Шерали Мухамадалиевич·с 2026 года·Фарғона жамоат саломатлиги тиббиёт институти

    Специальность: Биофизика и радиобиология

    Источник: 2026/1, с. 244 · B2026.1.DSc/TIB1461 · Сообщить об ошибке

  3. Яримўтказгич халкогенид бирикмалари асосида тензо-оптоэлектрон элементлар олиш ва деградация жараёнларини тадқиқ этиш

    Соискатель: Жўраева Гулноза Фазлитдиновна·с 2025 года·Фарғона давлат университети

    Специальность: Физика полупроводников

    Источник: 2025/1, с. 246 · B2025.1.PhD/FM1258 · Сообщить об ошибке

  4. Bi-Sb-(Te, Se) асосидаги термоэлектрик қотишмаларнинг коммутацион материаллар билан контактидаги физик-кимёвий ўзаро таъсирлашувининг хосликлари

    Соискатель: Азимов Туланбой Маъруфжонович·с 2023 года·Фарғона давлат университети

    Специальность: Физика полупроводников

    В бюллетене: «Онаркулов Каримберди Эгамбердиэвич»

    Источник: 2023/1, с. 143 · B2023.1.PhD/FM850 · Сообщить об ошибке

  5. Халькогенид бирикмалар негизида автоном оптоэлектрон қурилмалар яратиш

    Соискатель: Юлдашев Шоҳжаҳон Аброрович·с 2021 года·Фарғона давлат университети

    Специальность: Физика полупроводников

    В бюллетене: «Онаркулов Каримберди Эгамбердиевич»

    Перерегистрирована: B2021.2.PhD/FM617

    Источник: 2022/1, с. 124 · B2022.1.PhD/T2595 · Сообщить об ошибке

  6. Би-Сб-Се-Те асосида термоэлектрик қотишмаларни олиш технологиясини ишлаб чиқиш ва электрофизик хоссаларини тадқиқ қилиш

    Соискатель: Ғайназарова Қизлархон Исроиловна·с 2021 года·Фарғона давлат университети

    Специальность: Физика конденсированного состояния

    Перерегистрирована: B2021.3.PhD/FM638

    Источник: 2021/4, с. 241 · B2021.4.PhD/FM638 · Сообщить об ошибке

  7. Поликристалл яримўтказгичларда чегаравий ҳолатларнинг электрон кўчи-шига таъсири

    Соискатель: Зайнолобидинова Сапурахон Маликовна·с 2020 года·Фарғона давлат университети

    Специальность: Физика полупроводников

    Источник: 2020/2, с. 86 · B2020.2.PhD/FM480 · Сообщить об ошибке

  8. Қишлоқ ҳўжалик маҳсулотларини қуритишда функционал керамика асосидаги инфрақизил нурлардан фойдаланиш

    Соискатель: Рахматов Ғуломжон Рахмонбердиевич·с 2017 года·Фарғона давлат университети

    Специальность: Энергоустановки на основе возобновляемых видов энергии

    Источник: 2017/2, с. 213 · B2017.2.PhD/T279 · Сообщить об ошибке