Izlanuvchi

Эргашов Ёкуб Сувонович

Ergashov Yokub Suvonovich

2 ta roʻyxatga olingan mavzu

Bu sahifada bitta izlanuvchining roʻyxatga olingan mavzulari koʻrsatilgan, talabalar emas: 2 ta roʻyxatga olish, 2 ta alohida ish.

Roʻyxatga olingan mavzu — dissertatsiya himoya qilingani yoki ilmiy daraja berilgani degani emas. Manba: OAK Byulleteni 2016/1–2026/1, 40 ta PDF, 2026-08-12 da chiqarilgan. Bu OAK ning rasmiy reyestri emas.

Roʻyxatga olingan mavzular

Nb, Si, CdTe va CaF2 kristallarining sirt osti qatlamlarida ion bombardimon usulida hosil qilingan nanoo‘lchamli strukturalar shakllanishining fizik-texnologik asoslari va elektron-optik xususiyatlari
Byulletenda: «Эргашов Ёқуб Сувонович»
2020-yildan beri·Fizik elektronika·Toshkent davlat texnika universiteti
Ilmiy rahbar: Umirzakov Boltaxodja Yermatovich
Manba: 2020/4, 45-bet · B2020.4.DSc/FM167 · Tuzatish yuborish
Ion bombardirovka usuli bilan Mo i Si sirtida va sirt osti sohalarida hosil qilingan nanoo‘lchamli tuzilmalarning shakllanish qonuniyatlari va elektron xususiyatlari
2017-yildan beri·Fizik elektronika·Toshkent davlat texnika universiteti
Ilmiy rahbar: Umirzakov Boltaxodja Yermatovich
≈ taxminiy biriktirish
Manba: 2017/1, 122-bet · B2017.1.PhD/FM24 · Tuzatish yuborish