Ихтисослик 01.04.10
Яримўтказгичлар физикаси
Бу ихтисосликнинг номи бу тилда берилмаган; ўзбекчаси кўрсатилган.
Yarimo'tkazgichlar fizikasi · Физика полупроводников · Physics of semiconductors
487 та рўйхатга олинган мавзу · 129 нафар илмий раҳбар
Бу саҳифада рўйхатга олинган мавзулар саналган, талабалар эмас: 487 та рўйхатга олиш. Битта рўйхатга олиш иккита ихтисослик кодини олиб юриши мумкин, шунинг учун барча ихтисосликлар йиғиндиси умумий сондан катта.
Рўйхатга олиш йиллари: 2016–2026
Рўйхатга олинган мавзу — диссертация ҳимоя қилингани ёки илмий даража берилгани дегани эмас. Манба: ОАК Бюллетени 2016/1–2026/1, 40 та PDF, 2026-08-12 да чиқарилган. Бу ОАК нинг расмий реестри эмас.
Рўйхатга олинган мавзулар
Si-ва C-вакансиялари оқимида бор ва алюминийнинг кремний карбидига паст ҳароратли диффузияси
Муассаса бюллетенда: ««Физика-Қуёш» ИИЧБ Физика-техника институти»
Манба: 2016/4, 36-бет · B2016.4.REG/FM282 · Тузатиш юбориш
Квантловчи магнит майдонида яримўтказ-гичлардаги осцилляция ҳодисаларига ҳарорат ва босим таъсири
Муассаса бюллетенда: ««Физика-Қуёш» ИИЧБ Физика-техника институти»
Манба: 2016/4, 22-бет · B2016.4.REG/FM197 · Тузатиш юбориш
Поликристалл кремнийнинг донадорлик-лараро чегаралари: микротузилмаси, заряд ҳолатлари ва р-n ўтишлари
≈ тахминий бириктириш
Манба: 2016/4, 22-бет · B2016.4.REG/FM165 · Тузатиш юбориш
Кристалл ва шишасимон халькоген яримўтказгичларда Мессбауэр киришма марказлари Мессбауэровские примесные центры в кристаллических и стеклообразных халькогенидных полупроводниках
Манбада ўзбекча ва русча сарлавҳа битта катакда чоп этилган; бу ерда ажратилмаган.
≈ тахминий бириктириш
Манба: 2016/3, 29-бет · B2016.3.REG/FM278 · Тузатиш юбориш
Кремний асосида никель атоми нанокластерли термодатчигини ишлаб чиқиш ва уни тайёрлаш технологияси
Манба: 2016/2, 22-бет · B2016.2.REG/T323 · Тузатиш юбориш
Фотосезгир GaxIn1-xP/GaP гетеротузилмалар ва улар асосидаги поғонали фотоўзгартгичларга тўпланган нурлар таъсири
Манба: 2016/2, 31-бет · B2016.2.REG/FM270 · Тузатиш юбориш
(Si2)1-x(GaSb)x, (Si2)1-x(GaP)x, (Si2)1-x(ZnS)x узлуксиз қаттиқ қоришмаларни Si тагликларга суюқ фазадан синтез қилиш ва уларнинг фотоэлектрик хусусиятлари
Муассаса бюллетенда: ««Физика-Қуёш» ИИЧБ Физика-техника институти»
Қайта рўйхатга олинган: B2016.1.REG/FM258
Манба: 2016/2, 58-бет · B2016.2.REG/FM258 · Тузатиш юбориш
Яримўтказгичли ипак, ўргимчак ва пахта толаларида номувозанатли жараёнлар
Манба: 2016/1, 65-бет · B2016.1.REG/FM259 · Тузатиш юбориш
Кремнийдаги никель, кобальт ва платина киришма атомлари кластерларининг физикавий хусусиятлари
Манба: 2016/1, 65-бет · B2016.1.REG/FM257 · Тузатиш юбориш
Ўзгарувчан зонали кўп компонентли яримўтказгичлар ва улар асосидаги структураларда инжекция жараёнлари
Манба: 2016/1, 65-бет · B2016.1.REG/FM256 · Тузатиш юбориш
Наноструктурали кремний датчиклари асосида объектлар физик параметрларини автоматик равишда бошқариш қурилмасини ишлаб чиқиш ва яратиш
Манба: 2016/1, 65-бет · B2016.1.REG/FM255 · Тузатиш юбориш
Наноўлчамдаги изоляцияланган затворли майдон транзисторининг характеристикасига технологик флуктуациянинг таъсири
Манба: 2016/1, 64-бет · B2016.1.REG/FM254 · Тузатиш юбориш
Кремний асосида никель атоми нанокластерли термодатчикни ишлаб чиқиш ва уни тайёрлаш технологияси
Манба: 2016/1, 28-бет · B2016.1.REG/FM230 · Тузатиш юбориш