Specialty 01.04.10
Physics of semiconductors
Yarimo'tkazgichlar fizikasi · Физика полупроводников
487 registered topics · 129 supervisors
This page counts registered topics, not students: 487 registrations. One registration may carry two specialty codes, so the sum over all specialties exceeds the corpus total.
Years of registration: 2016–2026
A registered topic does not mean the dissertation was defended or a degree awarded. Source: OAK Bulletin 2016/1–2026/1, 40 PDFs, built 2026-08-12. This is not the official OAK register.
Registered topics
Никель ва марганец киришма атомлари билан легирланган кремнийнинг магнит хусусиятлари
≈ inferred attachment
Re-registered: B2022.4.PhD/FM813
Source: 2024/3, p. 344 · B2024.3.PhD/FM813 · Report a correction
Яримўтказгичли структураларда икки ўлчамли энергетик ҳолатлар зичлигига магнит майдон, деформация ва ҳароратнинг таъсири
≈ inferred attachment
Source: 2024/3, p. 140 · B2024.3.PhD/FM1159 · Report a correction
Яримўтказгичли радиал p-n вa p-i-n ўтишли структураларнинг электрофизик хусусиятларини моделлаштириш
Institution in the bulletin: «“ТИҚХММИ” Миллий тадқиқот университети»
Source: 2024/3, p. 140 · B2024.3.PhD/FM1158 · Report a correction
Европий билан легирланган кремнийнинг магнит хусусиятлари
Re-registered: B2022.3.PhD/T3014
Source: 2024/3, p. 140 · B2024.3.PhD/FM1157 · Report a correction
Ионли легирлаш ёрдамида кремний юзаси сиртида юқори марганец ва никел силицидларини ҳосил бўлиш механизмларини ўрганиш
Source: 2024/3, p. 101 · B2024.3.DSc/FM278 · Report a correction
Яримўтказгичли ГаСб нур диодларининг нурланиш оқимини барқарорлаштириш усулини ишлаб чиқиш
Source: 2024/2, p. 217 · B2024.2.PhD/T4567 · Report a correction
Температурани ўлчаш ва назорат қилиш учун микропроцессорли қурилмани яратиш
Source: 2024/2, p. 217 · B2024.2.PhD/T4566 · Report a correction
Математик моделлаштириш ёрдамида Si(Li) детекторларини тайёрлаш технологиясини ишлаб чиқиш
Re-registered: B2021.1.PhD/FM588, B2023.4.PhD/T4074
Source: 2024/2, p. 531 · B2024.2.PhD/T4074 · Report a correction
Яримўтказгич хоссасига эга ТiO2 асосли Ли-полимер батареяларининг тайёрлаш технологияси ва электрофизик характеристикалари
Institution in the bulletin: «Наманган муҳандислик технология институти, Малайзия Республикаси Малая университети»
Re-registered: B2021.2.PhD/FM616, B2023.3.PhD/T3832
Source: 2024/2, p. 531 · B2024.2.PhD/T3832 · Report a correction
SbxSey юпқа қатламларининг физик хоссалари ва улар асосидаги қуёш элементлари
Institution in the bulletin: «“Физика-Қуёш” ИИЧБ Физика-техника институти»
Re-registered: B2020.2.PhD/FM492
Source: 2024/2, p. 529 · B2024.2.PhD/FM492 · Report a correction
(1-х)АFe12O19-xBTiO3(A-Ba,Pb,Sr;B-Ba,Pb) нанотизимли таркибларнинг тузилиши, панжара динамикаси, электрофизик ва гальваномагнит хусусиятлари
Source: 2024/2, p. 195 · B2024.2.PhD/FM1132 · Report a correction
Fe, Ni ва Cu, Ni билан легирланган кремнийдаги киришма тўпламлари морфологиясига термик ишловнинг таъсири
Source: 2024/2, p. 195 · B2024.2.PhD/FM1131 · Report a correction
GaAs: Cr яримўтказгич параметрларининг электрон нурланишга барқарорлиги
Source: 2024/2, p. 195 · B2024.2.PhD/FM1130 · Report a correction
Юқори қувватли кремнийли лавинали-учар диодларнинг кўп қатламли омик контактларининг контакт қаршилигини шакллантиришнинг физик асослари
≈ inferred attachment
Source: 2024/2, p. 119 · B2024.2.DSc/FM271 · Report a correction
GaAs/Ge/ZnSe ва GaAs/Si/ZnSe кўптаркибли тузилмаларида наноўлчамли объектларнинг шаклланиш жараёнлари
Re-registered: B2022.1.DSc/FM190
Source: 2024/2, p. 177 · B2024.2.DSc/FM190 · Report a correction
Ярим ўтказгичли материаллар асосидаги фотоиссиқлик қурилмаларининг энергия таъминотига қуруг иқлим параметрларининг таъсири
Source: 2024/1, p. 172 · B2024.1.PhD/T4356 · Report a correction
Селен ва марганец киришма атомлари билан легирланган кремнийдаги автотебранишлар
Re-registered: B2022.3.PhD/FM771
Source: 2024/1, p. 375 · B2024.1.PhD/FM771 · Report a correction
Аморф кремнийнинг нуқсонларда ютилиш спектрлари ва электрон ҳолатлар зичлиги
Source: 2024/1, p. 157 · B2024.1.PhD/FM1039 · Report a correction
Вертикал майдон транзисторларини электрофизик хусусиятларига чегара соҳасидаги ва оксид қатламидаги локал зарядларнинг таъсири
Source: 2024/1, p. 157 · B2024.1.PhD/FM1038 · Report a correction
Оптик фаол яримўтказгичлар ва металл дихалкогенидларнинг моноқатламларида чизиқли циркуляр дихроизм ва ўлчамли квантлашиш
Institution in the bulletin: «Қўқон давлат педагогика институти»
Source: 2024/1, p. 156 · B2024.1.PhD/FM1037 · Report a correction
Икки ўлчамли молибден дителлируд (MoTe2) асосидаги яримўтказгичли нанаоструктураларнинг физик-кимёвий ва оптоэлектрик хусусиятлари
Source: 2024/1, p. 156 · B2024.1.PhD/FM1036 · Report a correction
Тетраэдр симметрияли кристалларда қутбланган ёруғликнинг ночизиқли ютилишини қутбий, спектрал ва температуравий тадқиқи
Source: 2024/1, p. 156 · B2024.1.PhD/FM1035 · Report a correction
A3B5 кристалларда валент зонаси тармоқлариаро бир ва икки фотонли ночизиқли оптик ҳодисаларнинг назарий тадқиқи
Source: 2024/1, p. 156 · B2024.1.PhD/FM1034 · Report a correction
Диффузия параметрларининг 3д-элементлари билан легирланган кремнийнинг электрофизик хусусиятларига таъсири
≈ inferred attachment
Source: 2024/1, p. 156 · B2024.1.PhD/FM1033 · Report a correction
Кремнийнинг сиртий соҳаларида юпқа қатламли темир гуруҳи юқори силицидларининг ҳосил бўлиш механизмлари
≈ inferred attachment
Source: 2024/1, p. 96 · B2024.1.DSc/FM261 · Report a correction
Комбинацияланган фотоиссиқлик ўзгартиргич учун икки ўқли Қуёшга йўналтирувчи тизимни ишлаб чиқиш
Source: 2023/4, p. 200 · B2023.4.PhD/T4073 · Report a correction
Кремний асосли p-n структураларнинг фотоэлектрик самарадорлигини оширишнинг конструкцион ва технологик ечимлари
≈ inferred attachment
Source: 2023/4, p. 200 · B2023.4.PhD/T4072 · Report a correction