Специальность 01.04.10
Физика полупроводников
Yarimo'tkazgichlar fizikasi · Physics of semiconductors
487 зарегистрированных тем · 129 научных руководителей
На этой странице считаются зарегистрированные темы, а не обучающиеся: 487 регистраций. Одна регистрация может нести два кода специальности, поэтому сумма по всем специальностям больше общего числа.
Годы регистрации: 2016–2026
Зарегистрированная тема не означает, что диссертация защищена или степень присуждена. Источник: Бюллетень ВАК 2016/1–2026/1, 40 PDF, сборка от 2026-08-12. Это не официальный реестр ВАК.
Зарегистрированные темы
Никель ва марганец киришма атомлари билан легирланган кремнийнинг магнит хусусиятлари
≈ предположительная привязка
Перерегистрирована: B2022.4.PhD/FM813
Источник: 2024/3, с. 344 · B2024.3.PhD/FM813 · Сообщить об ошибке
Яримўтказгичли структураларда икки ўлчамли энергетик ҳолатлар зичлигига магнит майдон, деформация ва ҳароратнинг таъсири
≈ предположительная привязка
Источник: 2024/3, с. 140 · B2024.3.PhD/FM1159 · Сообщить об ошибке
Яримўтказгичли радиал p-n вa p-i-n ўтишли структураларнинг электрофизик хусусиятларини моделлаштириш
Учреждение в бюллетене: «“ТИҚХММИ” Миллий тадқиқот университети»
Источник: 2024/3, с. 140 · B2024.3.PhD/FM1158 · Сообщить об ошибке
Европий билан легирланган кремнийнинг магнит хусусиятлари
Перерегистрирована: B2022.3.PhD/T3014
Источник: 2024/3, с. 140 · B2024.3.PhD/FM1157 · Сообщить об ошибке
Ионли легирлаш ёрдамида кремний юзаси сиртида юқори марганец ва никел силицидларини ҳосил бўлиш механизмларини ўрганиш
Источник: 2024/3, с. 101 · B2024.3.DSc/FM278 · Сообщить об ошибке
Яримўтказгичли ГаСб нур диодларининг нурланиш оқимини барқарорлаштириш усулини ишлаб чиқиш
Источник: 2024/2, с. 217 · B2024.2.PhD/T4567 · Сообщить об ошибке
Температурани ўлчаш ва назорат қилиш учун микропроцессорли қурилмани яратиш
Источник: 2024/2, с. 217 · B2024.2.PhD/T4566 · Сообщить об ошибке
Математик моделлаштириш ёрдамида Si(Li) детекторларини тайёрлаш технологиясини ишлаб чиқиш
Перерегистрирована: B2021.1.PhD/FM588, B2023.4.PhD/T4074
Источник: 2024/2, с. 531 · B2024.2.PhD/T4074 · Сообщить об ошибке
Яримўтказгич хоссасига эга ТiO2 асосли Ли-полимер батареяларининг тайёрлаш технологияси ва электрофизик характеристикалари
Учреждение в бюллетене: «Наманган муҳандислик технология институти, Малайзия Республикаси Малая университети»
Перерегистрирована: B2021.2.PhD/FM616, B2023.3.PhD/T3832
Источник: 2024/2, с. 531 · B2024.2.PhD/T3832 · Сообщить об ошибке
SbxSey юпқа қатламларининг физик хоссалари ва улар асосидаги қуёш элементлари
Учреждение в бюллетене: «“Физика-Қуёш” ИИЧБ Физика-техника институти»
Перерегистрирована: B2020.2.PhD/FM492
Источник: 2024/2, с. 529 · B2024.2.PhD/FM492 · Сообщить об ошибке
(1-х)АFe12O19-xBTiO3(A-Ba,Pb,Sr;B-Ba,Pb) нанотизимли таркибларнинг тузилиши, панжара динамикаси, электрофизик ва гальваномагнит хусусиятлари
Источник: 2024/2, с. 195 · B2024.2.PhD/FM1132 · Сообщить об ошибке
Fe, Ni ва Cu, Ni билан легирланган кремнийдаги киришма тўпламлари морфологиясига термик ишловнинг таъсири
Источник: 2024/2, с. 195 · B2024.2.PhD/FM1131 · Сообщить об ошибке
GaAs: Cr яримўтказгич параметрларининг электрон нурланишга барқарорлиги
Источник: 2024/2, с. 195 · B2024.2.PhD/FM1130 · Сообщить об ошибке
Юқори қувватли кремнийли лавинали-учар диодларнинг кўп қатламли омик контактларининг контакт қаршилигини шакллантиришнинг физик асослари
≈ предположительная привязка
Источник: 2024/2, с. 119 · B2024.2.DSc/FM271 · Сообщить об ошибке
GaAs/Ge/ZnSe ва GaAs/Si/ZnSe кўптаркибли тузилмаларида наноўлчамли объектларнинг шаклланиш жараёнлари
Перерегистрирована: B2022.1.DSc/FM190
Источник: 2024/2, с. 177 · B2024.2.DSc/FM190 · Сообщить об ошибке
Ярим ўтказгичли материаллар асосидаги фотоиссиқлик қурилмаларининг энергия таъминотига қуруг иқлим параметрларининг таъсири
Источник: 2024/1, с. 172 · B2024.1.PhD/T4356 · Сообщить об ошибке
Селен ва марганец киришма атомлари билан легирланган кремнийдаги автотебранишлар
Перерегистрирована: B2022.3.PhD/FM771
Источник: 2024/1, с. 375 · B2024.1.PhD/FM771 · Сообщить об ошибке
Аморф кремнийнинг нуқсонларда ютилиш спектрлари ва электрон ҳолатлар зичлиги
Источник: 2024/1, с. 157 · B2024.1.PhD/FM1039 · Сообщить об ошибке
Вертикал майдон транзисторларини электрофизик хусусиятларига чегара соҳасидаги ва оксид қатламидаги локал зарядларнинг таъсири
Источник: 2024/1, с. 157 · B2024.1.PhD/FM1038 · Сообщить об ошибке
Оптик фаол яримўтказгичлар ва металл дихалкогенидларнинг моноқатламларида чизиқли циркуляр дихроизм ва ўлчамли квантлашиш
Учреждение в бюллетене: «Қўқон давлат педагогика институти»
Источник: 2024/1, с. 156 · B2024.1.PhD/FM1037 · Сообщить об ошибке
Икки ўлчамли молибден дителлируд (MoTe2) асосидаги яримўтказгичли нанаоструктураларнинг физик-кимёвий ва оптоэлектрик хусусиятлари
Источник: 2024/1, с. 156 · B2024.1.PhD/FM1036 · Сообщить об ошибке
Тетраэдр симметрияли кристалларда қутбланган ёруғликнинг ночизиқли ютилишини қутбий, спектрал ва температуравий тадқиқи
Источник: 2024/1, с. 156 · B2024.1.PhD/FM1035 · Сообщить об ошибке
A3B5 кристалларда валент зонаси тармоқлариаро бир ва икки фотонли ночизиқли оптик ҳодисаларнинг назарий тадқиқи
Источник: 2024/1, с. 156 · B2024.1.PhD/FM1034 · Сообщить об ошибке
Диффузия параметрларининг 3д-элементлари билан легирланган кремнийнинг электрофизик хусусиятларига таъсири
≈ предположительная привязка
Источник: 2024/1, с. 156 · B2024.1.PhD/FM1033 · Сообщить об ошибке
Кремнийнинг сиртий соҳаларида юпқа қатламли темир гуруҳи юқори силицидларининг ҳосил бўлиш механизмлари
≈ предположительная привязка
Источник: 2024/1, с. 96 · B2024.1.DSc/FM261 · Сообщить об ошибке
Комбинацияланган фотоиссиқлик ўзгартиргич учун икки ўқли Қуёшга йўналтирувчи тизимни ишлаб чиқиш
Источник: 2023/4, с. 200 · B2023.4.PhD/T4073 · Сообщить об ошибке
Кремний асосли p-n структураларнинг фотоэлектрик самарадорлигини оширишнинг конструкцион ва технологик ечимлари
≈ предположительная привязка
Источник: 2023/4, с. 200 · B2023.4.PhD/T4072 · Сообщить об ошибке