Ilmiy rahbar
Юсупов Ахмед
Yusupov Axmed
Byulletenlarda bu ismning toʻliq shakli (otasining ismi bilan) hech qachon chop etilmagan.
7 ta roʻyxatga olingan mavzu · 5 nafar izlanuvchi
6 ta alohida ish · 1 tasi qayta roʻyxatdan oʻtgan
Bu sahifada roʻyxatga olingan mavzular koʻrsatilgan, talabalar emas: 7 ta roʻyxatga olish, 5 nafar izlanuvchi.
7 ta roʻyxatga olish 6 ta alohida ishga tegishli: 1 tasi avval roʻyxatdan oʻtgan ishning qayta roʻyxatga olinishi. Roʻyxatda har bir ish bir marta koʻrsatiladi. 6 ta ishni 5 nafar izlanuvchi olib boradi: 1 nafari bir nechta mavzuni roʻyxatdan oʻtkazgan.
Ilmiy rahbar mavzu roʻyxatga olingan paytda byulletenda chop etilgani boʻyicha koʻrsatilgan. Keyingi oʻzgarishlar bu reyestrda aks etmaydi.
Roʻyxatga olingan mavzu — dissertatsiya himoya qilingani yoki ilmiy daraja berilgani degani emas. Manba: OAK Byulleteni 2016/1–2026/1, 40 ta PDF, 2026-08-12 da chiqarilgan. Bu OAK ning rasmiy reyestri emas.
Tadqiqot yoʻnalishlari
Roʻyxatga olingan mavzular
Nanoo‘lchamdagi izolyatsiyalangan zatvorli vertikal maydoniy tranzistorning xarakteristikalariga texnologik fluktuatsiyalarning ta’sirini modellashtirish
Qayta roʻyxatga olingan: B2017.3.PhD/FM120
Manba: 2019/1, 272-bet · B2019.1.PhD/FM120 · Tuzatish yuborish
Oksid yarimo‘tkazgich qatlamlar va ular asosidagi strukturalarni shakllantirish va ularning xossalari
Muassasa byulletenda: «“Физика-Қуёш” ИИЧБ Физика-техника институти»
Manba: 2018/3, 32-bet · B2018.3.DSc/FM126 · Tuzatish yuborish
Cu2ZnSnS4 asosida geteroo‘tishlar olish va ularning xossalari
Manba: 2018/2, 46-bet · B2018.2.PhD/FM263 · Tuzatish yuborish
Dielektrik-yarimo‘tkazgich chegarasi xossalariga tashqi omillar ta’siri va mikro-metrli va nanometrli MDYA tranzistorlar xarakteristikalarini modellashtirish
Manba: 2017/3-4, 54-bet · B2017.3.DSc/FM97 · Tuzatish yuborish
Kremniyli strukturalarda fotoelektrik energiya olish samaradorligini oshirishning fizik asoslari va texnologiyalari
Manba: 2017/2, 205-bet · B2017.2.PhD/FM100 · Tuzatish yuborish
Nanoo‘lchamdagi izolyatsiyalangan zatvorli maydon tranzistorining xarakteristikasiga texnologik fluktuatsiyaning ta’siri
Manba: 2016/1, 64-bet · B2016.1.REG/FM254 · Tuzatish yuborish