Научный руководитель

Юсупов Ахмед

Yusupov Axmed

В бюллетенях полная форма этого имени (с отчеством) ни разу не напечатана.

7 зарегистрированных тем · 5 соискателей

6 отдельных работ · из них 1 повторная регистрация

На этой странице показаны зарегистрированные темы, а не обучающиеся: 7 регистраций, 5 соискателей.

7 регистраций относятся к 6 отдельным работам; повторных регистраций среди них: 1. В списке каждая работа показана один раз. 6 работ ведут 5 соискателей; соискателей с несколькими темами: 1.

Научный руководитель указан так, как он был напечатан в бюллетене на момент регистрации темы. Более поздние изменения в этом реестре не отражаются.

Зарегистрированная тема не означает, что диссертация защищена или степень присуждена. Источник: Бюллетень ВАК 2016/1–2026/1, 40 PDF, сборка от 2026-08-12. Это не официальный реестр ВАК.

Направления исследований

Специальности: Физика полупроводников

Учреждения: Урганч давлат университети · Андижон давлат университети · Ўзбекистон Миллий университети · ещё 1

Годы регистрации: с 2016 по 2019 год

Зарегистрированные темы

  1. Наноўлчамдаги изоляцияланган затворли вертикал майдоний транзисторнинг характеристикаларига технологик флуктуацияларнинг таъсирини моделлаштириш

    Соискатель: Абдикаримов Азамат Эгамберганович·с 2017 года·Урганч давлат университети

    Специальность: Физика полупроводников

    Перерегистрирована: B2017.3.PhD/FM120

    Источник: 2019/1, с. 272 · B2019.1.PhD/FM120 · Сообщить об ошибке

  2. Оксид яримўтказгич қатламлар ва улар асосидаги структураларни шакллантириш ва уларнинг хоссалари

    Соискатель: Хажиев Мардонбек Улуғбекович·с 2018 года·"Физика-Қуёш" ИИЧБ Физика-техника институти

    Учреждение в бюллетене: «“Физика-Қуёш” ИИЧБ Физика-техника институти»

    Специальность: Физика полупроводников

    Источник: 2018/3, с. 32 · B2018.3.DSc/FM126 · Сообщить об ошибке

  3. Cu2ZnSnS4 асосида гетероўтишлар олиш ва уларнинг хоссалари

    Соискатель: Тураев Зафаржон Зайнитдинович·с 2018 года·Ўзбекистон Миллий университети

    Специальность: Физика полупроводников

    Источник: 2018/2, с. 46 · B2018.2.PhD/FM263 · Сообщить об ошибке

  4. Диэлектрик-яримўтказгич чегараси хоссаларига ташқи омиллар таъсири ва микро-метрли ва нанометрли МДЯ транзисторлар характеристикаларини моделлаштириш

    Соискатель: Атамуратов Атабек Эгамбердиевич·с 2017 года·Урганч давлат университети

    Специальность: Физика полупроводников

    Источник: 2017/3-4, с. 54 · B2017.3.DSc/FM97 · Сообщить об ошибке

  5. Кремнийли структураларда фотоэлектрик энергия олиш самарадорлигини оширишнинг физик асослари ва технологиялари

    Соискатель: Алиев Сухроб Райимжонович·с 2017 года·Андижон давлат университети

    Специальность: Физика полупроводников

    Источник: 2017/2, с. 205 · B2017.2.PhD/FM100 · Сообщить об ошибке

  6. Наноўлчамдаги изоляцияланган затворли майдон транзисторининг характеристикасига технологик флуктуациянинг таъсири

    Соискатель: Абдикаримов Азамат Эгамберганович·с 2016 года·Урганч давлат университети

    Специальность: Физика полупроводников

    Источник: 2016/1, с. 64 · B2016.1.REG/FM254 · Сообщить об ошибке