Scientific supervisor

Умирзаков Болтаходжа Ерматович

Umirzakov Boltaxodja Yermatovich

16 registered topics · 11 researchers

15 distinct pieces of work · 1 of them re-registered

This page shows registered topics, not students: 16 registrations, 11 researchers.

16 registrations belong to 15 distinct pieces of work: 1 of them re-registered work already on the register. Each piece of work is listed once. 15 pieces of work belong to 11 researchers: 4 of them registered more than one topic.

The supervisor is shown as printed in the bulletin at the time the topic was registered. Later changes are not reflected in this register.

A registered topic does not mean the dissertation was defended or a degree awarded. Source: OAK Bulletin 2016/1–2026/1, 40 PDFs, built 2026-08-12. This is not the official OAK register.

Research areas

Specialties

  • Physical electronics 16

Institutions

  • Toshkent davlat texnika universiteti 12
  • Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti 4

Years of registration

from 2016 to 2025

The bulletins spell this name 8 ways
  • Умирзаков Болтахўжа Ерматович — 2016/3
  • Умирзаков Балтоходжа Ерматович — 2017/1
  • Умирзаков Болтахуджа Ерматович — 2020/4
  • Умирзаков Болтахўжа Ёрматович — 2021/3
  • Умирзақов Болтахўжа Ерматович — 2022/2
  • Умирзаков Болтахужа Эрматович — 2022/4
  • Умирзаков Балтоходжа Эрматович — 2025/1

My name is spelled wrongly

Registered topics

  1. Магнетрон чанглатиш ва ион имплантация усуллари билан олинган Si, Ge ва GaP асосидаги кўп компонентли наноструктураларнинг электрон ва оптик хусусиятлари

    Researcher: Жумаев Жасурбек Менгли ўғли·since 2023·Toshkent davlat texnika universiteti

    Specialty: Physical electronics

    In the bulletin: «Умирзаков Балтоходжа Эрматович»

    ≈ inferred attachment

    Source: 2025/1, p. 603 · B2025.1.PhD/FM918 · Report a correction

  2. Атом ва молекулаларнинг вольфрам ва молибден сирти билан ўзаро таъсири кинетик характеристикалари

    Researcher: Рахмонов Ғанибой Тоджиевич·since 2023·Toshkent davlat texnika universiteti

    Specialty: Physical electronics

    In the bulletin: «Умирзаков Балтоходжа Ерматович»

    ≈ inferred attachment

    Source: 2023/1, p. 107 · B2023.1.DSc/FM213 · Report a correction

  3. Атом ва кўпатомли зарраларнинг вольфрам ва молибден сиртлари билан ўзаро таъсирининг кинетик характеристикалари

    Researcher: Рахманов Ганибой Тоджиевич·since 2022·Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti

    Specialty: Physical electronics

    Scientific supervisor: Усманов Дилшадбек Турсунбаевич

    In the bulletin: «Умирзаков Болтахужа Эрматович, Усманов Дилшадбек Турсунбаевич»

    Source: 2022/4, p. 93 · B2022.4.DSc/FM206 · Report a correction

  4. Na+, Ba+,Mo+ ва О2+ ионлари билан имплантация қилинган W сирт ва W оксидларининг электрон хоссалари

    Researcher: Худайқулов Феруз Яқубжонович·since 2022·Toshkent davlat texnika universiteti

    Specialty: Physical electronics

    ≈ inferred attachment

    Source: 2022/2, p. 105 · B2022.2.PhD/FM721 · Report a correction

  5. Si сиртида ҳосил қилинган Co ва Mn силицид плёнкаларининг тузилиши ва электрон хоссалари

    Researcher: Турапов Илхом Химматалиевич·since 2020·Toshkent davlat texnika universiteti

    Specialty: Physical electronics

    In the bulletin: «Умирзақов Болтахўжа Ерматович»

    Source: 2022/2, p. 356 · B2022.2.PhD/FM468 · Report a correction

  6. Si ва Ge асосидаги наноплёнкали гетеротизимларнинг электрон ҳоссалари

    Researcher: Ёрқулов Руслан Махаммади ўғли·since 2021·Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti

    Specialty: Physical electronics

    In the bulletin: «Умирзаков Болтахўжа Ёрматович»

    Source: 2021/4, p. 116 · B2021.4.PhD/FM654 · Report a correction

  7. Ҳар хил табиатли ионлар (Na+, Ba+, O+ и Ar+) билан имплантацияланган CdS ва GaAs плёнкаларининг электрон ва оптик хоссалари

    Researcher: Содикжанов Жахонгирбек Шухратбек ўғли·since 2021·Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti

    Specialty: Physical electronics

    In the bulletin: «Умирзаков Болтахўжа Ёрматович»

    Source: 2021/3, p. 118 · B2021.3.PhD/FM636 · Report a correction

  8. Nb, Si, CdTe ва CaF2 кристалларининг сирт ости қатламларида ион бомбардимон усулида ҳосил қилинган наноўлчамли структуралар шаклланишининг физик-технологик асослари ва электрон-оптик хусусиятлари

    Researcher: Эргашов Ёқуб Сувонович·since 2020·Toshkent davlat texnika universiteti

    Specialty: Physical electronics

    In the bulletin: «Умирзаков Болтахуджа Ерматович»

    Source: 2020/4, p. 45 · B2020.4.DSc/FM167 · Report a correction

  9. Икки компонентли материаллар (PdBa, TiN, GaAs GaP ва CaF2) асосида ҳосил қилинган наноструктураларнинг электрон структуралари ва физик хусусиятлари

    Researcher: Донаев Сардор Бурханович·since 2020·Toshkent davlat texnika universiteti

    Specialty: Physical electronics

    In the bulletin: «Умирзаков Болтахуджа Ерматович»

    Source: 2020/4, p. 45 · B2020.4.DSc/FM166 · Report a correction

  10. Монокристалл кремний сиртида германийнинг юпқа қатламлари ва металларнинг моноқатламли плёнкаларининг панжара параметрлари ва кристалл тузилиши

    Researcher: Ниматов Самад Жайсанович·since 2017·Toshkent davlat texnika universiteti

    Specialty: Physical electronics

    ≈ inferred attachment

    Re-registered: B2017.3.DSc/FM95

    Source: 2020/2, p. 334 · B2020.2.DSc/FM95 · Report a correction

  11. Кремний ва кремний бирикмаларининг наноўлчамли тузилмаларининг ион-плазмали шаклланиши

    Researcher: Ашуров Рустам Хатамович·since 2017·Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti

    Specialty: Physical electronics

    In the bulletin: «Умирзаков Болтахўжа Ерматович»

    Source: 2017/3-4, p. 237 · B2017.3.PhD/FM139 · Report a correction

  12. Ионлар ва электронларнинг юпқа кристал-лардан сочилиши ва ўтиши жараёнларидаги ориентацион эффектлар

    Researcher: Исаханов Зинаобидин Абилпейзович·since 2017·Toshkent davlat texnika universiteti

    Specialty: Physical electronics

    ≈ inferred attachment

    Source: 2017/2, p. 13 · B2017.2.DSc/FM48 · Report a correction

  13. Ион бомбардировка усули билан Мо и Si сиртида ва сирт ости соҳаларида ҳосил қилинган наноўлчамли тузилмаларнинг шаклланиш қонуниятлари ва электрон хусусиятлари

    Researcher: Эргашов Ёкуб Сувонович·since 2017·Toshkent davlat texnika universiteti

    Specialty: Physical electronics

    In the bulletin: «Умирзаков Балтоходжа Ерматович»

    ≈ inferred attachment

    Source: 2017/1, p. 122 · B2017.1.PhD/FM24 · Report a correction

  14. Кичик энергияли ионлар билан имплантация қилинган бинар материаллар (Pd-Ba, CoSi2 ва GaAs) сиртининг электрон спектроскопияси ва микроскопияси

    Researcher: Донаев Сардор Бурханович·since 2017·Toshkent davlat texnika universiteti

    Specialty: Physical electronics

    In the bulletin: «Умирзаков Балтоходжа Ерматович»

    ≈ inferred attachment

    Source: 2017/1, p. 122 · B2017.1.PhD/FM22 · Report a correction

  15. Монокристалл кремний сиртида германийнинг юпқа қатламлари ва металларнинг моноқатламли плёнкаларининг панжара параметрлари ва кристалл тузилиши

    Researcher: Ниматов Самад Жайсанович·since 2016·Toshkent davlat texnika universiteti

    Specialty: Physical electronics

    In the bulletin: «Умирзаков Болтахўжа Ерматович»

    Source: 2016/3, p. 29 · B2016.3.REG/FM277 · Report a correction