Илмий раҳбар
Умирзаков Болтаходжа Ерматович
Umirzakov Boltaxodja Yermatovich
16 та рўйхатга олинган мавзу · 11 нафар изланувчи
15 та алоҳида иш · 1 таси қайта рўйхатдан ўтган
Бу саҳифада рўйхатга олинган мавзулар кўрсатилган, талабалар эмас: 16 та рўйхатга олиш, 11 нафар изланувчи.
16 та рўйхатга олиш 15 та алоҳида ишга тегишли: 1 таси аввал рўйхатдан ўтган ишнинг қайта рўйхатга олиниши. Рўйхатда ҳар бир иш бир марта кўрсатилади. 15 та ишни 11 нафар изланувчи олиб боради: 4 нафари бир нечта мавзуни рўйхатдан ўтказган.
Илмий раҳбар мавзу рўйхатга олинган пайтда бюллетенда чоп этилгани бўйича кўрсатилган. Кейинги ўзгаришлар бу реестрда акс этмайди.
Рўйхатга олинган мавзу — диссертация ҳимоя қилингани ёки илмий даража берилгани дегани эмас. Манба: ОАК Бюллетени 2016/1–2026/1, 40 та PDF, 2026-08-12 да чиқарилган. Бу ОАК нинг расмий реестри эмас.
Тадқиқот йўналишлари
Ихтисосликлар
- Fizik elektronika · uz 16
Муассасалар
- Тошкент давлат техника университети 12
- Ион-плазма ва лазер технологиялари институти 4
Рўйхатга олиш йиллари
Бюллетенларда бу исм 8 хил ёзилган
- Умирзаков Болтахўжа Ерматович — 2016/3
- Умирзаков Балтоходжа Ерматович — 2017/1
- Умирзаков Болтахуджа Ерматович — 2020/4
- Умирзаков Болтахўжа Ёрматович — 2021/3
- Умирзақов Болтахўжа Ерматович — 2022/2
- Умирзаков Болтахужа Эрматович — 2022/4
- Умирзаков Балтоходжа Эрматович — 2025/1
Рўйхатга олинган мавзулар
Магнетрон чанглатиш ва ион имплантация усуллари билан олинган Si, Ge ва GaP асосидаги кўп компонентли наноструктураларнинг электрон ва оптик хусусиятлари
Бюллетенда: «Умирзаков Балтоходжа Эрматович»≈ тахминий бириктириш
Манба: 2025/1, 603-бет · B2025.1.PhD/FM918 · Тузатиш юбориш
Атом ва молекулаларнинг вольфрам ва молибден сирти билан ўзаро таъсири кинетик характеристикалари
Бюллетенда: «Умирзаков Балтоходжа Ерматович»≈ тахминий бириктириш
Манба: 2023/1, 107-бет · B2023.1.DSc/FM213 · Тузатиш юбориш
Атом ва кўпатомли зарраларнинг вольфрам ва молибден сиртлари билан ўзаро таъсирининг кинетик характеристикалари
Бюллетенда: «Умирзаков Болтахужа Эрматович, Усманов Дилшадбек Турсунбаевич»Манба: 2022/4, 93-бет · B2022.4.DSc/FM206 · Тузатиш юбориш
Na+, Ba+,Mo+ ва О2+ ионлари билан имплантация қилинган W сирт ва W оксидларининг электрон хоссалари
≈ тахминий бириктириш
Манба: 2022/2, 105-бет · B2022.2.PhD/FM721 · Тузатиш юбориш
Si сиртида ҳосил қилинган Co ва Mn силицид плёнкаларининг тузилиши ва электрон хоссалари
Бюллетенда: «Умирзақов Болтахўжа Ерматович»Манба: 2022/2, 356-бет · B2022.2.PhD/FM468 · Тузатиш юбориш
Si ва Ge асосидаги наноплёнкали гетеротизимларнинг электрон ҳоссалари
Бюллетенда: «Умирзаков Болтахўжа Ёрматович»Манба: 2021/4, 116-бет · B2021.4.PhD/FM654 · Тузатиш юбориш
Ҳар хил табиатли ионлар (Na+, Ba+, O+ и Ar+) билан имплантацияланган CdS ва GaAs плёнкаларининг электрон ва оптик хоссалари
Бюллетенда: «Умирзаков Болтахўжа Ёрматович»Манба: 2021/3, 118-бет · B2021.3.PhD/FM636 · Тузатиш юбориш
Nb, Si, CdTe ва CaF2 кристалларининг сирт ости қатламларида ион бомбардимон усулида ҳосил қилинган наноўлчамли структуралар шаклланишининг физик-технологик асослари ва электрон-оптик хусусиятлари
Бюллетенда: «Умирзаков Болтахуджа Ерматович»Манба: 2020/4, 45-бет · B2020.4.DSc/FM167 · Тузатиш юбориш
Икки компонентли материаллар (PdBa, TiN, GaAs GaP ва CaF2) асосида ҳосил қилинган наноструктураларнинг электрон структуралари ва физик хусусиятлари
Бюллетенда: «Умирзаков Болтахуджа Ерматович»Манба: 2020/4, 45-бет · B2020.4.DSc/FM166 · Тузатиш юбориш
Монокристалл кремний сиртида германийнинг юпқа қатламлари ва металларнинг моноқатламли плёнкаларининг панжара параметрлари ва кристалл тузилиши
≈ тахминий бириктириш
Қайта рўйхатга олинган: B2017.3.DSc/FM95
Манба: 2020/2, 334-бет · B2020.2.DSc/FM95 · Тузатиш юбориш
Кремний ва кремний бирикмаларининг наноўлчамли тузилмаларининг ион-плазмали шаклланиши
Бюллетенда: «Умирзаков Болтахўжа Ерматович»Манба: 2017/3-4, 237-бет · B2017.3.PhD/FM139 · Тузатиш юбориш
Ионлар ва электронларнинг юпқа кристал-лардан сочилиши ва ўтиши жараёнларидаги ориентацион эффектлар
≈ тахминий бириктириш
Манба: 2017/2, 13-бет · B2017.2.DSc/FM48 · Тузатиш юбориш
Ион бомбардировка усули билан Мо и Si сиртида ва сирт ости соҳаларида ҳосил қилинган наноўлчамли тузилмаларнинг шаклланиш қонуниятлари ва электрон хусусиятлари
Бюллетенда: «Умирзаков Балтоходжа Ерматович»≈ тахминий бириктириш
Манба: 2017/1, 122-бет · B2017.1.PhD/FM24 · Тузатиш юбориш
Кичик энергияли ионлар билан имплантация қилинган бинар материаллар (Pd-Ba, CoSi2 ва GaAs) сиртининг электрон спектроскопияси ва микроскопияси
Бюллетенда: «Умирзаков Балтоходжа Ерматович»≈ тахминий бириктириш
Манба: 2017/1, 122-бет · B2017.1.PhD/FM22 · Тузатиш юбориш
Монокристалл кремний сиртида германийнинг юпқа қатламлари ва металларнинг моноқатламли плёнкаларининг панжара параметрлари ва кристалл тузилиши
Бюллетенда: «Умирзаков Болтахўжа Ерматович»Манба: 2016/3, 29-бет · B2016.3.REG/FM277 · Тузатиш юбориш