Научный руководитель

Умирзаков Болтаходжа Ерматович

Umirzakov Boltaxodja Yermatovich

16 зарегистрированных тем · 11 соискателей

15 отдельных работ · из них 1 повторная регистрация

На этой странице показаны зарегистрированные темы, а не обучающиеся: 16 регистраций, 11 соискателей.

16 регистраций относятся к 15 отдельным работам; повторных регистраций среди них: 1. В списке каждая работа показана один раз. 15 работ ведут 11 соискателей; соискателей с несколькими темами: 4.

Научный руководитель указан так, как он был напечатан в бюллетене на момент регистрации темы. Более поздние изменения в этом реестре не отражаются.

Зарегистрированная тема не означает, что диссертация защищена или степень присуждена. Источник: Бюллетень ВАК 2016/1–2026/1, 40 PDF, сборка от 2026-08-12. Это не официальный реестр ВАК.

Направления исследований

Специальности

  • Физическая электроника 16

Учреждения

  • Тошкент давлат техника университети 12
  • Ион-плазма ва лазер технологиялари институти 4

Годы регистрации

с 2016 по 2025 год

В бюллетенях это имя написано 8 способами
  • Умирзаков Болтахўжа Ерматович — 2016/3
  • Умирзаков Балтоходжа Ерматович — 2017/1
  • Умирзаков Болтахуджа Ерматович — 2020/4
  • Умирзаков Болтахўжа Ёрматович — 2021/3
  • Умирзақов Болтахўжа Ерматович — 2022/2
  • Умирзаков Болтахужа Эрматович — 2022/4
  • Умирзаков Балтоходжа Эрматович — 2025/1

Моё имя написано неверно

Зарегистрированные темы

  1. Магнетрон чанглатиш ва ион имплантация усуллари билан олинган Si, Ge ва GaP асосидаги кўп компонентли наноструктураларнинг электрон ва оптик хусусиятлари

    Соискатель: Жумаев Жасурбек Менгли ўғли·с 2023 года·Тошкент давлат техника университети

    Специальность: Физическая электроника

    В бюллетене: «Умирзаков Балтоходжа Эрматович»

    ≈ предположительная привязка

    Источник: 2025/1, с. 603 · B2025.1.PhD/FM918 · Сообщить об ошибке

  2. Атом ва молекулаларнинг вольфрам ва молибден сирти билан ўзаро таъсири кинетик характеристикалари

    Соискатель: Рахмонов Ғанибой Тоджиевич·с 2023 года·Тошкент давлат техника университети

    Специальность: Физическая электроника

    В бюллетене: «Умирзаков Балтоходжа Ерматович»

    ≈ предположительная привязка

    Источник: 2023/1, с. 107 · B2023.1.DSc/FM213 · Сообщить об ошибке

  3. Атом ва кўпатомли зарраларнинг вольфрам ва молибден сиртлари билан ўзаро таъсирининг кинетик характеристикалари

    Соискатель: Рахманов Ганибой Тоджиевич·с 2022 года·Ион-плазма ва лазер технологиялари институти

    Специальность: Физическая электроника

    Научный руководитель: Усманов Дилшадбек Турсунбаевич

    В бюллетене: «Умирзаков Болтахужа Эрматович, Усманов Дилшадбек Турсунбаевич»

    Источник: 2022/4, с. 93 · B2022.4.DSc/FM206 · Сообщить об ошибке

  4. Na+, Ba+,Mo+ ва О2+ ионлари билан имплантация қилинган W сирт ва W оксидларининг электрон хоссалари

    Соискатель: Худайқулов Феруз Яқубжонович·с 2022 года·Тошкент давлат техника университети

    Специальность: Физическая электроника

    ≈ предположительная привязка

    Источник: 2022/2, с. 105 · B2022.2.PhD/FM721 · Сообщить об ошибке

  5. Si сиртида ҳосил қилинган Co ва Mn силицид плёнкаларининг тузилиши ва электрон хоссалари

    Соискатель: Турапов Илхом Химматалиевич·с 2020 года·Тошкент давлат техника университети

    Специальность: Физическая электроника

    В бюллетене: «Умирзақов Болтахўжа Ерматович»

    Источник: 2022/2, с. 356 · B2022.2.PhD/FM468 · Сообщить об ошибке

  6. Si ва Ge асосидаги наноплёнкали гетеротизимларнинг электрон ҳоссалари

    Соискатель: Ёрқулов Руслан Махаммади ўғли·с 2021 года·Ион-плазма ва лазер технологиялари институти

    Специальность: Физическая электроника

    В бюллетене: «Умирзаков Болтахўжа Ёрматович»

    Источник: 2021/4, с. 116 · B2021.4.PhD/FM654 · Сообщить об ошибке

  7. Ҳар хил табиатли ионлар (Na+, Ba+, O+ и Ar+) билан имплантацияланган CdS ва GaAs плёнкаларининг электрон ва оптик хоссалари

    Соискатель: Содикжанов Жахонгирбек Шухратбек ўғли·с 2021 года·Ион-плазма ва лазер технологиялари институти

    Специальность: Физическая электроника

    В бюллетене: «Умирзаков Болтахўжа Ёрматович»

    Источник: 2021/3, с. 118 · B2021.3.PhD/FM636 · Сообщить об ошибке

  8. Nb, Si, CdTe ва CaF2 кристалларининг сирт ости қатламларида ион бомбардимон усулида ҳосил қилинган наноўлчамли структуралар шаклланишининг физик-технологик асослари ва электрон-оптик хусусиятлари

    Соискатель: Эргашов Ёқуб Сувонович·с 2020 года·Тошкент давлат техника университети

    Специальность: Физическая электроника

    В бюллетене: «Умирзаков Болтахуджа Ерматович»

    Источник: 2020/4, с. 45 · B2020.4.DSc/FM167 · Сообщить об ошибке

  9. Икки компонентли материаллар (PdBa, TiN, GaAs GaP ва CaF2) асосида ҳосил қилинган наноструктураларнинг электрон структуралари ва физик хусусиятлари

    Соискатель: Донаев Сардор Бурханович·с 2020 года·Тошкент давлат техника университети

    Специальность: Физическая электроника

    В бюллетене: «Умирзаков Болтахуджа Ерматович»

    Источник: 2020/4, с. 45 · B2020.4.DSc/FM166 · Сообщить об ошибке

  10. Монокристалл кремний сиртида германийнинг юпқа қатламлари ва металларнинг моноқатламли плёнкаларининг панжара параметрлари ва кристалл тузилиши

    Соискатель: Ниматов Самад Жайсанович·с 2017 года·Тошкент давлат техника университети

    Специальность: Физическая электроника

    ≈ предположительная привязка

    Перерегистрирована: B2017.3.DSc/FM95

    Источник: 2020/2, с. 334 · B2020.2.DSc/FM95 · Сообщить об ошибке

  11. Кремний ва кремний бирикмаларининг наноўлчамли тузилмаларининг ион-плазмали шаклланиши

    Соискатель: Ашуров Рустам Хатамович·с 2017 года·Ион-плазма ва лазер технологиялари институти

    Специальность: Физическая электроника

    В бюллетене: «Умирзаков Болтахўжа Ерматович»

    Источник: 2017/3-4, с. 237 · B2017.3.PhD/FM139 · Сообщить об ошибке

  12. Ионлар ва электронларнинг юпқа кристал-лардан сочилиши ва ўтиши жараёнларидаги ориентацион эффектлар

    Соискатель: Исаханов Зинаобидин Абилпейзович·с 2017 года·Тошкент давлат техника университети

    Специальность: Физическая электроника

    ≈ предположительная привязка

    Источник: 2017/2, с. 13 · B2017.2.DSc/FM48 · Сообщить об ошибке

  13. Ион бомбардировка усули билан Мо и Si сиртида ва сирт ости соҳаларида ҳосил қилинган наноўлчамли тузилмаларнинг шаклланиш қонуниятлари ва электрон хусусиятлари

    Соискатель: Эргашов Ёкуб Сувонович·с 2017 года·Тошкент давлат техника университети

    Специальность: Физическая электроника

    В бюллетене: «Умирзаков Балтоходжа Ерматович»

    ≈ предположительная привязка

    Источник: 2017/1, с. 122 · B2017.1.PhD/FM24 · Сообщить об ошибке

  14. Кичик энергияли ионлар билан имплантация қилинган бинар материаллар (Pd-Ba, CoSi2 ва GaAs) сиртининг электрон спектроскопияси ва микроскопияси

    Соискатель: Донаев Сардор Бурханович·с 2017 года·Тошкент давлат техника университети

    Специальность: Физическая электроника

    В бюллетене: «Умирзаков Балтоходжа Ерматович»

    ≈ предположительная привязка

    Источник: 2017/1, с. 122 · B2017.1.PhD/FM22 · Сообщить об ошибке

  15. Монокристалл кремний сиртида германийнинг юпқа қатламлари ва металларнинг моноқатламли плёнкаларининг панжара параметрлари ва кристалл тузилиши

    Соискатель: Ниматов Самад Жайсанович·с 2016 года·Тошкент давлат техника университети

    Специальность: Физическая электроника

    В бюллетене: «Умирзаков Болтахўжа Ерматович»

    Источник: 2016/3, с. 29 · B2016.3.REG/FM277 · Сообщить об ошибке