Специальность 01.04.10
Физика полупроводников
Yarimo'tkazgichlar fizikasi · Physics of semiconductors
487 зарегистрированных тем · 129 научных руководителей
На этой странице считаются зарегистрированные темы, а не обучающиеся: 487 регистраций. Одна регистрация может нести два кода специальности, поэтому сумма по всем специальностям больше общего числа.
Годы регистрации: 2016–2026
Зарегистрированная тема не означает, что диссертация защищена или степень присуждена. Источник: Бюллетень ВАК 2016/1–2026/1, 40 PDF, сборка от 2026-08-12. Это не официальный реестр ВАК.
Зарегистрированные темы
Баъзи бир 3d-элементларнинг кремнийда қиринди-нуқсонли комплексларини шаклланишининг ўзига хос хусусиятлари
Источник: 2018/4, с. 51 · B2018.4.PhD/FM299 · Сообщить об ошибке
Ўркачсимон зонали яримўтказгичларда ўлчамли квантлашиш ва қутбий оптик ҳодисаларнинг назарий тадқиқи
Учреждение в бюллетене: «Қўқон давлат педагогика институти»
Источник: 2018/4, с. 50 · B2018.4.PhD/FM297 · Сообщить об ошибке
Иттербий билан легирланган кремнийни электрофизик хусусиятларига ташқи факторларнинг таъсирини ўрганиш
Источник: 2018/4, с. 50 · B2018.4.PhD/FM296 · Сообщить об ошибке
Ташқи майдонлар таъсиридаги яримўтказгич структураларида квант осцилляция ҳодисалари
Источник: 2018/4, с. 28 · B2018.4.DSc/FM128 · Сообщить об ошибке
Галлий арсениди асосида икки томонлама сезгир фотодиод ишлаб чиқиш
Учреждение в бюллетене: «"Физика-Куёш" ИИЧБ Физика-техника институти»
Источник: 2018/3, с. 56 · B2018.3.PhD/T844 · Сообщить об ошибке
Ўртача қувватли кремнийли диодларнинг функционал параметрларини бошқариш усулларини ишлаб чиқиш
Учреждение в бюллетене: «"Физика-Куёш" ИИЧБ Физика-техника институти»
Источник: 2018/3, с. 56 · B2018.3.PhD/T843 · Сообщить об ошибке
p-n-ўтишли икки қутбли кремнийли майдоний транзисторнинг стабиллаштирувчи ва кучайтирувчи хусусиятлари
Учреждение в бюллетене: «"Физика-Куёш" ИИЧБ Физика-техника институти»
Источник: 2018/3, с. 56 · B2018.3.PhD/T842 · Сообщить об ошибке
Кремний панжараси нуқсонлари билан никел ва марганец атомлари кластерининг ўзаро таъсири
Источник: 2018/3, с. 55 · B2018.3.PhD/FM286 · Сообщить об ошибке
Поликристалл кремний ва унинг асосидаги p-n-тузилмалар хусусиятларини термик ва оптик стимуллаш
≈ предположительная привязка
Источник: 2018/3, с. 54 · B2018.3.PhD/FM285 · Сообщить об ошибке
Кўп қатламли яримўтказгичли тузилмаларда манфий дифференциал қаршилик ва фото ЭЮК ларнинг шаклланиш жараёнлари
Источник: 2018/3, с. 54 · B2018.3.PhD/FM284 · Сообщить об ошибке
Камбағаллашган база сохали яримўтказгич структуралар термосезгирлигининг хусусиятлари
Учреждение в бюллетене: «"Физика-Куёш" ИИЧБ Физика-техника институти»
Источник: 2018/3, с. 54 · B2018.3.PhD/FM281 · Сообщить об ошибке
Оксид яримўтказгич қатламлар ва улар асосидаги структураларни шакллантириш ва уларнинг хоссалари
Учреждение в бюллетене: «“Физика-Қуёш” ИИЧБ Физика-техника институти»
Источник: 2018/3, с. 32 · B2018.3.DSc/FM126 · Сообщить об ошибке
Юқори частотали кремнийли диодлардаги иссиқлик-техникавий жараёнларнинг хусусиятлари
Учреждение в бюллетене: ««Физика-Қуёш» ИИЧБ Физика-техника институти»
Перерегистрирована: B2017.1.PhD/FM36
Источник: 2018/2, с. 104 · B2018.2.PhD/T840 · Сообщить об ошибке
Кремнийда марганецни киришма атомларининг кўп зарядли кластерларини ҳосил қилишнинг хусусиятларини тадқиқ қилиш
Источник: 2018/2, с. 46 · B2018.2.PhD/FM265 · Сообщить об ошибке
Cu2ZnSnS4 асосида гетероўтишлар олиш ва уларнинг хоссалари
Источник: 2018/2, с. 46 · B2018.2.PhD/FM263 · Сообщить об ошибке
Майдоний транзистор асосидаги кўп функцияли датчикнинг канали камбағаллашган режимдаги сезгирлик хусусиятлари
Источник: 2018/2, с. 46 · B2018.2.PhD/FM262 · Сообщить об ошибке
Суюқ фазада эпитаксия усулида ўстирилган (GaAs)1-x (ZnSe)x қаттиқ қотишманинг электрофизик ва фотоэлектрик хоссалари
Источник: 2018/2, с. 46 · B2018.2.PhD/FM259 · Сообщить об ошибке
Табиати ҳар хил бўлган тутунларнинг ёруғликни ютиш спектр соҳасини яримўтказгичли фотоқабулқилгич ёрдамида аниқлаш
Источник: 2018/2, с. 45 · B2018.2.PhD/FM258 · Сообщить об ошибке
Уч ва икки ўлчамли электронлар системаларида кўп фотонли ютилиш ва силжишли фотогальваник эффектларнинг назарий тадқиқи
Учреждение в бюллетене: «Қўқон давлат педагогика институти»
Источник: 2018/2, с. 37 · B2018.2.PhD/FM202 · Сообщить об ошибке
Компенсирланган кремний ва улар асосидаги сирт–барьер диод структураларда тензо-стимуллаш ҳодисалари
≈ предположительная привязка
Перерегистрирована: B2017.1.DSc/FM43, B2018.1.DSc/FM43
Источник: 2018/2, с. 16 · B2018.2.DSc/FM43 · Сообщить об ошибке
Гидрогенизацияланган аморф яримўтказгичларнинг оптик ютилиш коэффициенти спектрал характеристикалари
≈ предположительная привязка
Источник: 2018/2, с. 17 · B2018.2.DSc/FM116 · Сообщить об ошибке
Ўтишсиз наноўлчамли майдоний транзисторларнинг характеристикаларига технологик флуктуацияларнинг таъсирини моделлаштириш
Источник: 2018/1, с. 194 · B2018.1.PhD/FM201 · Сообщить об ошибке
Киришма атомлари микробирикмалари ҳосил бўлишининг физик асослари ва уларнинг монокремний хусусиятларига таъсири
≈ предположительная привязка
Источник: 2018/1, с. 45 · B2018.1.DSc/FM114 · Сообщить об ошибке
Киришмали атомдан ташкил топган нано-кластерли кремнийдаги автотебранишли ток ва унинг электроникада қўлланилиши
Источник: 2017/3-4, с. 300 · B2017.4.PhD/FM160 · Сообщить об ошибке
Уч ва икки ўлчамли электронлар системасида кўп фотонли ютилиш ва силжишли фотогальваник самараларнинг назарий тадқиқи
Учреждение в бюллетене: «Жиззах давлат педагогика институти»
Источник: 2017/3-4, с. 288 · B2017.4.DSc/FM110 · Сообщить об ошибке
Яримўтказгичларда энергетик ҳолатларнинг зичлиги спектрларини ҳароратга боғланишини моделлаштириш
Источник: 2017/3-4, с. 288 · B2017.4.DSc/FM109 · Сообщить об ошибке
Кремнийли диод структураларига олинган омик контактларнинг ток ўтиш механизмларининг физик асослари
Источник: 2017/3-4, с. 288 · B2017.4.DSc/FM108 · Сообщить об ошибке
Термик ва микротўлқинли ишловнинг Шоттки барьерли кремний карбид TiBx(ZrBx)-n-SiC6H диодли структураларининг электрофизик хоссаларига таъсири
Источник: 2017/3-4, с. 237 · B2017.3.PhD/FM142 · Сообщить об ошибке