Ихтисослик 01.04.04
Физик электроника
Бу ихтисосликнинг номи бу тилда берилмаган; ўзбекчаси кўрсатилган.
Fizik elektronika · Физическая электроника · Physical electronics
113 та рўйхатга олинган мавзу · 34 нафар илмий раҳбар
Бу саҳифада рўйхатга олинган мавзулар саналган, талабалар эмас: 113 та рўйхатга олиш. Битта рўйхатга олиш иккита ихтисослик кодини олиб юриши мумкин, шунинг учун барча ихтисосликлар йиғиндиси умумий сондан катта.
Рўйхатга олиш йиллари: 2016–2025
Рўйхатга олинган мавзу — диссертация ҳимоя қилингани ёки илмий даража берилгани дегани эмас. Манба: ОАК Бюллетени 2016/1–2026/1, 40 та PDF, 2026-08-12 да чиқарилган. Бу ОАК нинг расмий реестри эмас.
Рўйхатга олинган мавзулар
Паст энергияли кумуш, кумуш-кобальт кластерларининг мис ва кумуш сирти билан ўзаро таъсири жараёнларини моделлаштириш
Муассаса бюллетенда: «Фарғона политехника институти»
Қайта рўйхатга олинган: B2019.2.PhD/T1116, B2019.4.PhD/FM445
Манба: 2021/4, 240-бет · B2021.4.PhD/FM445 · Тузатиш юбориш
Органик бирикмалар молекулалари сиртий ионлашуви чегаравий соҳаси қонуниятлари ва улар юзага келишининг детекторлар тезкорлигига боғликлиги
Қайта рўйхатга олинган: B2017.3.PhD/FM115
Манба: 2021/4, 239-бет · B2021.4.PhD/FM115 · Тузатиш юбориш
Ҳар хил табиатли ионлар (Na+, Ba+, O+ и Ar+) билан имплантацияланган CdS ва GaAs плёнкаларининг электрон ва оптик хоссалари
Манба: 2021/3, 118-бет · B2021.3.PhD/FM636 · Тузатиш юбориш
Турли даражада гидрогенлашган a-Si:H/c-Si асосидаги қуёш элементларининг радиацион деградацияси механизмлари
Манба: 2021/3, 118-бет · B2021.3.PhD/FM635 · Тузатиш юбориш
Биологик суюқликларда долзарб наркотик моддаларни юқори сезгирликда ва танловчанликда таҳлилининг сирт ионлашиш масс-спектрометрияси
Манба: 2021/3, 118-бет · B2021.3.PhD/FM634 · Тузатиш юбориш
Газли фазадан ва қисман ионлашган оқимлардан ўстириш орқали олинган Si/Si ва Si-Ge/Si юпқа қатламли структура асосидаги иссиқлик энергиясини ўзгартиргичлар
Қайта рўйхатга олинган: B2017.2.PhD/FM66, B2019.1.PhD/FM66, B2019.3.PhD/FM66
Манба: 2021/2, 78-бет · B2021.2.PhD/T2221 · Тузатиш юбориш
Графен, фуллеренлар ва кичик энергияли водород атомларининг ўзаро таъсири жараёнларини моделлаштириш
Манба: 2021/2, 68-бет · B2021.2.PhD/FM608 · Тузатиш юбориш
Ион-атом тўқнашувларидаги электрон жараёнлар ва уларнинг углерод наноструктуралари физикасида қўлланилиши
Қайта рўйхатга олинган: B2021.1.DSc/FM172
Манба: 2021/2, 59-бет · B2021.2.DSc/FM172 · Тузатиш юбориш
Электрон-фотон ва иккиламчи ионлар эмиссия усуллари билан турли сиртлардан уйғотилган ва тўзғитилганда ионлашган заррачалар хоссаларини тадқиқ қилиш
Манба: 2021/1, 70-бет · B2021.1.PhD/FM572 · Тузатиш юбориш
Қуёш электростанцияларида қўлланиладиган фотоэлементлардаги квант ўтишлар табиатини ўрганиш
Муассаса бюллетенда: «Жиззах давлат педагогика институти»
Манба: 2020/4, 92-бет · B2020.4.PhD/FM545 · Тузатиш юбориш
InP(001) ва InGaP(001) юпқа қатламлар сиртини кичик бурчак остида бомбардимон қилаётган Ne+, Ar+, Xe+ ионларининг сочилиш жараёнини моделлаштириш
Манба: 2020/4, 91-бет · B2020.4.PhD/FM537 · Тузатиш юбориш
Nb, Si, CdTe ва CaF2 кристалларининг сирт ости қатламларида ион бомбардимон усулида ҳосил қилинган наноўлчамли структуралар шаклланишининг физик-технологик асослари ва электрон-оптик хусусиятлари
Манба: 2020/4, 45-бет · B2020.4.DSc/FM167 · Тузатиш юбориш
Икки компонентли материаллар (PdBa, TiN, GaAs GaP ва CaF2) асосида ҳосил қилинган наноструктураларнинг электрон структуралари ва физик хусусиятлари
Манба: 2020/4, 45-бет · B2020.4.DSc/FM166 · Тузатиш юбориш
Магнетрон чанглатиш усули билан ҳосил қилинган Mn4Si7 плёнкаларнинг термоэлектрик хоссалари
Қайта рўйхатга олинган: B2018.1.PhD/FM199, B2020.2.PhD/FM199
Манба: 2020/3, 162-бет · B2020.3.PhD/FM199 · Тузатиш юбориш
Психотроп воситаларнинг долзарб синфлари ва каннабиноидларни сиртий ионлашув услублари билан тадқиқ қилиш
Манба: 2020/3, 29-бет · B2020.3.DSc/FM163 · Тузатиш юбориш
Сиртдан ион бомбардимони таъсирида чанглатилган кластерли ионларнинг фундаментал хоссалари
Қайта рўйхатга олинган: B2019.2.DSc/FM138
Манба: 2020/3, 50-бет · B2020.3.DSc/FM138 · Тузатиш юбориш
Кремний тиклашнинг электр ёйли жараёнини модернизация қилиш ва унинг асосида электрон қурилмалар яратиш
Манба: 2020/2, 110-бет · B2020.2.PhD/T1501 · Тузатиш юбориш
Ион имплантация ва юқори вакуумли ўтқазиш усуллари билан олинган силицид наноплёнкасининг структуралари ва электрон хусусиятлари
Манба: 2020/2, 90-бет · B2020.2.PhD/FM506 · Тузатиш юбориш
Наноструктурали силикат шишаларни олиш ва уларнинг физик хусусиятларини ўрганиш
Манба: 2020/2, 84-бет · B2020.2.PhD/FM469 · Тузатиш юбориш
Монокристалл кремний сиртида германийнинг юпқа қатламлари ва металларнинг моноқатламли плёнкаларининг панжара параметрлари ва кристалл тузилиши
≈ тахминий бириктириш
Қайта рўйхатга олинган: B2017.3.DSc/FM95
Манба: 2020/2, 334-бет · B2020.2.DSc/FM95 · Тузатиш юбориш
Молибден ва кремний юзасида ҳосил қилинган оксид нанопленкаларининг электрон тузулиши ва оптик хусусиятлари
Манба: 2019/2, 96-бет · B2019.2.PhD/T1048 · Тузатиш юбориш
Атомлар ва кластерларнинг кумуш, мис ва графен сирти билан ўзаро таъсирини моделлаштириш
Манба: 2019/2, 30-бет · B2019.2.DSc/FM139 · Тузатиш юбориш
Турли табиатли материалларнинг иккиламчи манфий ион эмиссиясини ишқорий металлар ионлари имплантацияси ва қиздириш билан стимуллаштириш
Манба: 2018/3, 53-бет · B2018.3.PhD/FM277 · Тузатиш юбориш
Ионли имплантация қилинган кремний ва юпқа силицид плёнкаларда плазмали тебранишларнинг уйғониши
≈ тахминий бириктириш
Манба: 2018/2, 43-бет · B2018.2.PhD/FM245 · Тузатиш юбориш
Si(111)нинг ҳар хил томонга P+ ва В+ ионларни имплантация қилиб термосезгир структуралар ҳосил қилиш
≈ тахминий бириктириш
Манба: 2018/2, 43-бет · B2018.2.PhD/FM244 · Тузатиш юбориш
Юқори вакуумли чанглатиш ва ион имплантация усули билан Si сиртида олинган нано-структураларнинг электрон ва оптик хусусиятлари
Манба: 2018/2, 43-бет · B2018.2.PhD/FM243 · Тузатиш юбориш
Қийин учувчи органик бирикмаларни юқори сезгирликда аниқлаш ва ўрганишнинг ионлашиш усулларини ривожлантириш
Қайта рўйхатга олинган: B2017.3.DSc/FM96
Манба: 2018/1, 27-бет · B2018.1.DSc/FM96 · Тузатиш юбориш
Диэлектрикларга электроэрозия ёрдамида ишлов беришдаги жараёнлар
Манба: 2017/3-4, 299-бет · B2017.4.PhD/FM157 · Тузатиш юбориш