Specialty 01.04.04
Physical electronics
Fizik elektronika · Физическая электроника
113 registered topics · 34 supervisors
This page counts registered topics, not students: 113 registrations. One registration may carry two specialty codes, so the sum over all specialties exceeds the corpus total.
Years of registration: 2016–2025
A registered topic does not mean the dissertation was defended or a degree awarded. Source: OAK Bulletin 2016/1–2026/1, 40 PDFs, built 2026-08-12. This is not the official OAK register.
Registered topics
Паст энергияли кумуш, кумуш-кобальт кластерларининг мис ва кумуш сирти билан ўзаро таъсири жараёнларини моделлаштириш
Institution in the bulletin: «Фарғона политехника институти»
Re-registered: B2019.2.PhD/T1116, B2019.4.PhD/FM445
Source: 2021/4, p. 240 · B2021.4.PhD/FM445 · Report a correction
Органик бирикмалар молекулалари сиртий ионлашуви чегаравий соҳаси қонуниятлари ва улар юзага келишининг детекторлар тезкорлигига боғликлиги
Re-registered: B2017.3.PhD/FM115
Source: 2021/4, p. 239 · B2021.4.PhD/FM115 · Report a correction
Ҳар хил табиатли ионлар (Na+, Ba+, O+ и Ar+) билан имплантацияланган CdS ва GaAs плёнкаларининг электрон ва оптик хоссалари
Source: 2021/3, p. 118 · B2021.3.PhD/FM636 · Report a correction
Турли даражада гидрогенлашган a-Si:H/c-Si асосидаги қуёш элементларининг радиацион деградацияси механизмлари
Source: 2021/3, p. 118 · B2021.3.PhD/FM635 · Report a correction
Биологик суюқликларда долзарб наркотик моддаларни юқори сезгирликда ва танловчанликда таҳлилининг сирт ионлашиш масс-спектрометрияси
Source: 2021/3, p. 118 · B2021.3.PhD/FM634 · Report a correction
Газли фазадан ва қисман ионлашган оқимлардан ўстириш орқали олинган Si/Si ва Si-Ge/Si юпқа қатламли структура асосидаги иссиқлик энергиясини ўзгартиргичлар
Re-registered: B2017.2.PhD/FM66, B2019.1.PhD/FM66, B2019.3.PhD/FM66
Source: 2021/2, p. 78 · B2021.2.PhD/T2221 · Report a correction
Графен, фуллеренлар ва кичик энергияли водород атомларининг ўзаро таъсири жараёнларини моделлаштириш
Source: 2021/2, p. 68 · B2021.2.PhD/FM608 · Report a correction
Ион-атом тўқнашувларидаги электрон жараёнлар ва уларнинг углерод наноструктуралари физикасида қўлланилиши
Re-registered: B2021.1.DSc/FM172
Source: 2021/2, p. 59 · B2021.2.DSc/FM172 · Report a correction
Электрон-фотон ва иккиламчи ионлар эмиссия усуллари билан турли сиртлардан уйғотилган ва тўзғитилганда ионлашган заррачалар хоссаларини тадқиқ қилиш
Source: 2021/1, p. 70 · B2021.1.PhD/FM572 · Report a correction
Қуёш электростанцияларида қўлланиладиган фотоэлементлардаги квант ўтишлар табиатини ўрганиш
Institution in the bulletin: «Жиззах давлат педагогика институти»
Source: 2020/4, p. 92 · B2020.4.PhD/FM545 · Report a correction
InP(001) ва InGaP(001) юпқа қатламлар сиртини кичик бурчак остида бомбардимон қилаётган Ne+, Ar+, Xe+ ионларининг сочилиш жараёнини моделлаштириш
Source: 2020/4, p. 91 · B2020.4.PhD/FM537 · Report a correction
Nb, Si, CdTe ва CaF2 кристалларининг сирт ости қатламларида ион бомбардимон усулида ҳосил қилинган наноўлчамли структуралар шаклланишининг физик-технологик асослари ва электрон-оптик хусусиятлари
Source: 2020/4, p. 45 · B2020.4.DSc/FM167 · Report a correction
Икки компонентли материаллар (PdBa, TiN, GaAs GaP ва CaF2) асосида ҳосил қилинган наноструктураларнинг электрон структуралари ва физик хусусиятлари
Source: 2020/4, p. 45 · B2020.4.DSc/FM166 · Report a correction
Магнетрон чанглатиш усули билан ҳосил қилинган Mn4Si7 плёнкаларнинг термоэлектрик хоссалари
Re-registered: B2018.1.PhD/FM199, B2020.2.PhD/FM199
Source: 2020/3, p. 162 · B2020.3.PhD/FM199 · Report a correction
Психотроп воситаларнинг долзарб синфлари ва каннабиноидларни сиртий ионлашув услублари билан тадқиқ қилиш
Source: 2020/3, p. 29 · B2020.3.DSc/FM163 · Report a correction
Сиртдан ион бомбардимони таъсирида чанглатилган кластерли ионларнинг фундаментал хоссалари
Re-registered: B2019.2.DSc/FM138
Source: 2020/3, p. 50 · B2020.3.DSc/FM138 · Report a correction
Кремний тиклашнинг электр ёйли жараёнини модернизация қилиш ва унинг асосида электрон қурилмалар яратиш
Source: 2020/2, p. 110 · B2020.2.PhD/T1501 · Report a correction
Ион имплантация ва юқори вакуумли ўтқазиш усуллари билан олинган силицид наноплёнкасининг структуралари ва электрон хусусиятлари
Source: 2020/2, p. 90 · B2020.2.PhD/FM506 · Report a correction
Наноструктурали силикат шишаларни олиш ва уларнинг физик хусусиятларини ўрганиш
Source: 2020/2, p. 84 · B2020.2.PhD/FM469 · Report a correction
Монокристалл кремний сиртида германийнинг юпқа қатламлари ва металларнинг моноқатламли плёнкаларининг панжара параметрлари ва кристалл тузилиши
≈ inferred attachment
Re-registered: B2017.3.DSc/FM95
Source: 2020/2, p. 334 · B2020.2.DSc/FM95 · Report a correction
Молибден ва кремний юзасида ҳосил қилинган оксид нанопленкаларининг электрон тузулиши ва оптик хусусиятлари
Source: 2019/2, p. 96 · B2019.2.PhD/T1048 · Report a correction
Атомлар ва кластерларнинг кумуш, мис ва графен сирти билан ўзаро таъсирини моделлаштириш
Source: 2019/2, p. 30 · B2019.2.DSc/FM139 · Report a correction
Турли табиатли материалларнинг иккиламчи манфий ион эмиссиясини ишқорий металлар ионлари имплантацияси ва қиздириш билан стимуллаштириш
Source: 2018/3, p. 53 · B2018.3.PhD/FM277 · Report a correction
Ионли имплантация қилинган кремний ва юпқа силицид плёнкаларда плазмали тебранишларнинг уйғониши
≈ inferred attachment
Source: 2018/2, p. 43 · B2018.2.PhD/FM245 · Report a correction
Si(111)нинг ҳар хил томонга P+ ва В+ ионларни имплантация қилиб термосезгир структуралар ҳосил қилиш
≈ inferred attachment
Source: 2018/2, p. 43 · B2018.2.PhD/FM244 · Report a correction
Юқори вакуумли чанглатиш ва ион имплантация усули билан Si сиртида олинган нано-структураларнинг электрон ва оптик хусусиятлари
Source: 2018/2, p. 43 · B2018.2.PhD/FM243 · Report a correction
Қийин учувчи органик бирикмаларни юқори сезгирликда аниқлаш ва ўрганишнинг ионлашиш усулларини ривожлантириш
Re-registered: B2017.3.DSc/FM96
Source: 2018/1, p. 27 · B2018.1.DSc/FM96 · Report a correction
Диэлектрикларга электроэрозия ёрдамида ишлов беришдаги жараёнлар
Source: 2017/3-4, p. 299 · B2017.4.PhD/FM157 · Report a correction